Siliciumcarbidepoeder van submicronkwaliteit heeft een hoge zuiverheid, laag aluminiumgehalte, laag ijzergehalte, hoog specifiek oppervlak en hoge oppervlakteactiviteit, wat zorgt voor de vorming van een keramische structuur met hoge dichtheid tijdens het drukloze sinterproces, wat de hardheid, slijtvastheid en thermische geleidbaarheid verbetert. De lage onzuiverheidseigenschappen verminderen sinterdefecten en zijn geschikt voor de productie van hoogwaardige keramische producten in hogetemperatuurprocessen, zoals lithiumbatterijsintering en poedermetallurgie, om de productie-efficiëntie en productkwaliteit te verbeteren.